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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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IRHNS9A7160
商品详情
-
ESD等级Class 3B
-
ID (@100°C) max93 A
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ID (@25°C) max100 A
-
QG195 nC
-
QPL部件号2N7653U2A
-
RDS (on) (@25°C) max6.5 mΩ
-
SEEYes
-
TID max100 Krad(Si)
-
VBRDSS100 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))300
-
封装SupIR-SMD
-
极性N
-
生成R9
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸6
-
认证标准COTS
-
语言SPICE
-
配置Discrete
| 推荐的 | ||
|
OPN
|
||
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| 英飞凌封装名称 | ||
| 封装名 | SUPIR SMD | |
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| 包装类型 | N/A | |
| 湿度 | N/A | |
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| 无铅 | No | |
| 无卤素 | No | |
| 符合RoHS标准 | No | |
|
Infineon stock last updated:
|
||
|
|
||
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SUPIR SMD |
| 包装尺寸 | 0 |
| 包装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
R9 SupIR-SMD 封装的 N 沟道 MOSFET 是一款专为空间应用而设计的 100V、100A 抗辐射设备。其高达 100krad(Si) TID 分类的电气性能使其成为可靠且经济高效的选择。凭借低 RDS(on) 和快速开关时间，它可提供高功率密度并降低功率损耗。其MOSFET优点包括电压控制、快速开关和温度稳定性。