IRHNS9A7160
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IRHNS9A7160

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封装

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IRHNS9A7160
IRHNS9A7160
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    93 A
  • 最高 ID (@25°C)
    100 A
  • QG
    195 nC
  • QPL部件号
    2N7653U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    6.5 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
R9 SupIR-SMD 封装的 N 沟道 MOSFET 是一款专为空间应用而设计的 100V、100A 抗辐射设备。其高达 100krad(Si) TID 分类的电气性能使其成为可靠且经济高效的选择。凭借低 RDS(on) 和快速开关时间，它可提供高功率密度并降低功率损耗。其MOSFET优点包括电压控制、快速开关和温度稳定性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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