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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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ESD等级Class 1C
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QG50 nC
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QPL部件号2N7484T3
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最高 TID100 Krad(Si)
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VBRDSS100 V
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最高 VF1.2 V
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产品类别Rad hard MOSFETS
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可选TID等级 (kRad(si))100 300 500
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封装TO-257AA
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极性N
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生成R5
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电压等级100 V
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芯片尺寸3
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语言SPICE
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OPN
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IRHY57130CM R5 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射器件，额定电压为 100V，额定电流为 18A。它采用 TO-257AA 封装，电气性能高达 100krad(Si) TID。该 COTS 器件具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗。它非常适合用于空间应用，包括 DC-DC 转换器和电机控制。
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