IRHYB67230CMSCV
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IRHYB67230CMSCV

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封装

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IRHYB67230CMSCV
IRHYB67230CMSCV
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    10 A
  • 最高 ID (@25°C)
    16 A
  • QG
    42 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    130 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
R6 N沟道MOSFET IRHYB67230CMSCV提供最大200V电压和最大16A电流。抗辐射，这款 QIRL 额定设备的电气性能高达 100krad(Si) TID。它采用 TO-257AA 无凸缘低欧姆封装，非常适合空间和辐射敏感应用。低 RDS(on) 和低栅极电荷可确保开关应用的高效率。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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