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IRHYK57133CMSE

数据手册
封装

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IRHYK57133CMSE
IRHYK57133CMSE
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    12.5 A
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • QG
    48 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    82 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    130 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    TO-257AA
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC LF
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC LF
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHYK57133CMSE R5 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射器件，额定电压为 130V，额定电流为 20A。它采用 TO-257AA 无凸缘低欧姆封装，电气性能高达 100krad(Si) TID。低 RDS(on) 和栅极电荷可降低开关应用中的功率损耗。它具有 MOSFET 的优点，例如电压控制、快速开关和温度稳定性。SEE 表征性能高达 80 MeV·cm2/mg 的 LET。

应用

文档

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设计资源

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