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IRHYS67234CM

数据手册
封装

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IRHYS67234CM
IRHYS67234CM
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    7.6 A
  • ID (@25°C) max
    12 A
  • QG
    40 nC
  • QPL Part Number
    2N7594T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    220 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-257AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHYS67234CM 是一款抗辐射 R6 N 沟道 MOSFET，具有 250V 和 12A 能力。在 TO-257AA 低欧姆封装中，该设备已通过高达 100krad(Si) TID 的测试。凭借低 RDS(on) 和栅极电荷，它可以最大限度地减少 DC-DC 转换器和电机控制中的功率损耗。这种高度可靠的设备针对空间应用进行了优化。

应用

文档

文档

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