IRHYS9A3234CM
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IRHYS9A3234CM

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封装

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IRHYS9A3234CM
IRHYS9A3234CM
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    10.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    17 A
  • QG
    34 nC
  • QPL部件号
    2N7649T3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    110 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHYS9A3234CMSCS N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射、250V、17A 器件，采用 TO-257AA 低欧姆封装。它具有对单粒子效应 (SEE) 的增强免疫力以及高达 300krad(Si) TID 的电气性能。该 COTS 器件的低 RDS(on) 和更快的开关时间使其成为电机控制器和 DC-DC 转换器中高速开关应用的理想选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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