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IRHYS9A93034CM

数据手册
封装

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IRHYS9A93034CM
IRHYS9A93034CM
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    -20 A
  • ID (@25°C) max
    -30 A
  • QG
    48 nC
  • QPL部件号
    2N7659T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    46 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • VF max
    -1.3 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    P
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHYS9A93034CM 是一款 R9、抗辐射、-60V、-30A、单 P 通道 MOSFET，采用 TO-257AA 低欧姆封装。基于超结技术，它提供了更好的抗 SEE 能力，有用的性能范围 LET 高达 91.3 MeV·cm2/mg，电气性能高达 300krad(Si) TID。其低 RDS(on) 和改进的 SOA 使其成为锁存电流限制器和固态功率控制器的理想选择，同时保留了 MOSFET 的优点。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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