IRHYS9A93130CM
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IRHYS9A93130CM

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IRHYS9A93130CM
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@25°C)
    -23 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7660T3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    76 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • 最高 VF
    -1.3 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    P
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHYS9A93130CM 是一款 R9、抗辐射、-100V、-23A、单 P 通道 MOSFET，采用 TO-257AA 无极低欧姆封装。其电气性能高达 300krad(Si) TID，并具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，使其适用于 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用，同时保留了 MOSFET 的优点。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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