IRLMS1902

IRLMS1902

采用 TSOP-6（Micro 6）封装的 20V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册

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IRLMS1902
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数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    3.2 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    1.7 W
  • Qgd
    1.8 nC
  • QG (typ @4.5V)
    4.7 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    100 mΩ
  • 最高 RthJA
    75 K/W
  • Special Features
    Small Power
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    20 V
  • 最低 VGS(th)
    0.7 V
  • 最高 VGS
    12 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    TSOP-6
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100KHz 的应用进行了硅优化
  • 行业标准表面贴装功率封装

产品优势

  • 增强坚固性
  • 多供应商兼容性
  • 行业标准资质水平
  • 支持多种应用程序
  • 标准引脚排列允许直接替换

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区