IRLS3036
不建议用于新设计
符合RoHS标准

IRLS3036

采用 D2-Pak 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRLS3036
IRLS3036


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    270 A
  • 最高 Ptot
    380 W
  • Qgd
    51 nC
  • QG (typ @4.5V)
    91 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.4 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    2.8 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.4 K/W
  • Special Features
    Logic Level
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    1 V 至 2.5 V
  • VGS(th)
    1.75 V
  • 最高 VGS
    16 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    1.3

OPN
IRLS3036TRLPBF
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE,KR,TW

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE,KR,TW

应用

文档

设计资源

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