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停产
已停产
符合RoHS标准

IRLZ44NS

停产
采用 D²PAK 封装的 IR MOSFET 55 V
数据手册
封装

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IRLZ44NS
IRLZ44NS
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    47 A
  • 最高 Ptot
    110 W
  • Qgd
    16.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    32 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    22 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    35 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.4 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    55 V
  • VGS(th) 范围
    1 V 至 2 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • 最高 VGS
    16 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.36
OPN
IRLZ44NSTRLPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
包装尺寸 800
包装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
包装尺寸 800
包装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。

产品优势

  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 逻辑电平：针对 10 V 栅极驱动电压进行了优化，能够承受 4.5 V 栅极驱动电压
  • 行业标准表面贴装功率封装
  • 高电流承载能力封装（高达 195 A，取决于芯片尺寸）
  • 可进行波峰焊

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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