现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IRS2007S

200 V 半桥栅极驱动器 IC，配备 VCC 和 VBS UVLO，确保可靠的启动操作
数据手册
封装
评估板

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IRS2007S
IRS2007S
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VBS UVLO (On)
    8.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • 关断传播延迟
    150 ns
  • 封装
    SOIC 8N
  • 开通传播延迟
    680 ns
  • 电压等级
    200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc
    10 V to 20 V
  • 输出电流 (Source)
    0.29 A
  • 输出电流 (Sink)
    0.6 A
  • 通道数
    2
  • 配置
    Half Bridge
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
推荐的
OPN
IRS2007STRPBF
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 N/A
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EiceDRIVER ™ 200 V 半桥栅极驱动器 IC，具有典型的 0.29 A 拉电流和 0.6 A 灌电流，采用 SOIC-8 封装，适用于 MOSFET。 它是一个具有高低侧参考输出的电平移位结隔离驱动器。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，浮动通道可用于驱动高端配置中的 N 通道功率 MOSFET。

特性

  • I O+/I O- 为 290 mA / 600 mA
  • 驱动电源。每通道高达 20 V
  • VCC、VBS 欠压锁定>
  • 3.3,5、15 V 输入逻辑兼容
  • 可容忍负数。瞬态电压。
  • 与自举电源一起使用
  • 交叉传导预防逻辑
  • 匹配的道具。两个通道均延迟。
  • 内部设置死区时间
  • 高端输出与输入同相
  • 低端输出。与内部不同相。
  • CMOS 技术

文档

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