IRS2011S
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IRS2011S

200 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC
数据手册
封装

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IRS2011S
IRS2011S
数据手册


商品详情

  • VBS UVLO (On)
    9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    9 V
  • 产品名称
    IRS2011S
  • 关断传播延迟
    60 ns
  • 开通传播延迟
    60 ns
  • 拓扑结构
    High-side and low-side
  • 电压等级
    200 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    10 V 至 20 V
  • 输出电流 (Sink)
    1 A
  • 输出电流 (Source)
    1 A
  • 通道
    2
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)

推荐的
OPN
IRS2011STRPBF
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 N/A
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY,TH
晶圆产地
DE,TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY,TH
晶圆产地
DE,TW
EiceDRIVER ™ 200 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC，具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引线 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。还提供 8 引脚 PDIP。

特性

  • 用于引导操作的浮动驱动器。
  • 完全可在 +200 V 下运行
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源：10 V 至 20 V
  • 独立。低侧和高侧通道。
  • 输入逻辑 HIN/LIN 高电平有效
  • 双通道欠压锁定
  • 3.3V 和 5 V 输入逻辑兼容
  • CMOS 施密特触发输入
  • 匹配属性。两个通道均延迟。

产品优势

  • Independent channels give flexible high- and low-side control
  • Undervoltage lockout on both channels protects the switches from insufficient gate drive
  • High- and low-side gate driver in one IC means smaller PCB area and lower BOM

图表

Circuit_Diagramm_IRS2011
Circuit_Diagramm_IRS2011
Circuit_Diagramm_IRS2011 Circuit_Diagramm_IRS2011 Circuit_Diagramm_IRS2011
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