现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IRS2011S

200 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC
数据手册
封装
每件.
有存货

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IRS2011S
IRS2011S
每件.
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VBS UVLO (On)
    9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    9 V
  • Turn Off Propagation Delay
    60 ns
  • Turn On Propagation Delay
    60 ns
  • Voltage Class
    200 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    10 V to 20 V
  • Output Current (Source)
    1 A
  • Output Current (Sink)
    1 A
  • Channels
    2
  • Configuration
    High-side and low-side
  • Isolation Type
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
受到推崇的
OPN
IRS2011STRPBF
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 N/A
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
EiceDRIVER ™ 200 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC，具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引线 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。还提供 8 引脚 PDIP。

特性

  • 用于引导操作的浮动驱动器。
  • 完全可在 +200 V 下运行
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源：10 V 至 20 V
  • 独立。低侧和高侧通道。
  • 输入逻辑 HIN/LIN 高电平有效
  • 双通道欠压锁定
  • 3.3V 和 5 V 输入逻辑兼容
  • CMOS 施密特触发输入
  • 匹配属性。两个通道均延迟。

图表

Circuit_Diagramm_IRS2011
Circuit_Diagramm_IRS2011
Circuit_Diagramm_IRS2011 Circuit_Diagramm_IRS2011 Circuit_Diagramm_IRS2011
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