IRS2106S
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IRS2106S

600 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC
数据手册
封装

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IRS2106S
IRS2106S
数据手册


商品详情

  • VBS UVLO (On)
    8.9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • 关断传播延迟
    200 ns
  • 开通传播延迟
    220 ns
  • 拓扑结构
    High-side and low-side
  • 电压等级
    600 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    10 V 至 20 V
  • 输出电流 (Source)
    0.29 A
  • 输出电流 (Sink)
    0.6 A
  • 通道
    2
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)

推荐的
OPN
IRS2106STRPBF
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 N/A
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EiceDRIVER ™ 600 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC，具有典型的 0.29 A 拉电流和 0.6 A 灌电流，采用 8 引线 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。还提供 8 引脚 PDIP、14 引脚 SOIC 和 14 引脚 PDIP。对于采用我们 SOI 技术的最新版本，我们推荐 2ED2106S06F，它提供集成自举二极管、更好的稳健性和更高的开关频率

特性

  • 用于引导操作的浮动驱动器。
  • 完全可在 +600 V 下运行
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源：10 V 至 20 V
  • 双通道欠压锁定
  • 3.3,5、& 15 V 逻辑输入兼容。
  • 匹配的道具。两个通道均延迟。
  • 逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移
  • 较低 di/dt 栅极驱动器
  • 输出与输入同相

图表

Circuit_Diagramm_IRS2106
Circuit_Diagramm_IRS2106
Circuit_Diagramm_IRS2106 Circuit_Diagramm_IRS2106 Circuit_Diagramm_IRS2106
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