现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IRS2112S

具有关断功能的 600 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC
数据手册
封装
每件.
有存货

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IRS2112S
IRS2112S
每件.
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (On)
    8.5 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.1 V
  • VCC UVLO (On)
    8.6 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • Turn Off Propagation Delay
    130 ns
  • Turn On Propagation Delay
    135 ns
  • Voltage Class
    600 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    10 V to 20 V
  • Output Current (Source)
    0.29 A
  • Output Current (Sink)
    0.6 A
  • Channels
    2
  • Configuration
    High-side and low-side
  • Isolation Type
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
受到推崇的
OPN
IRS2112STRPBF
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
SOIC 16W
封装名 N/A
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 16W
封装名 -
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
600 V 高侧和低侧驱动器 IC，具有典型的 0.29 A 拉电流和 0.6 A 灌电流，采用 16 引线 SOICWB 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。还提供 14 引脚 PDIP。

特性

  • 用于引导操作的浮动驱动器。
  • 完全可在 +600 V 下运行
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源：10 V 至 20 V
  • 双通道欠压锁定
  • 3.3V 逻辑兼容
  • 9 月。逻辑支持从 3.3 V 到 20 V
  • 逻辑和电源地 +/- 5 V 偏移
  • CMOS 施密特触发输入
  • C-by-c 边沿触发。关机逻辑
  • 匹配的道具。两个通道均延迟。

应用

图表

Circuit_Diagramm_IRS2112
Circuit_Diagramm_IRS2112
Circuit_Diagramm_IRS2112 Circuit_Diagramm_IRS2112 Circuit_Diagramm_IRS2112
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