现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IRS21531DS

600 V 半桥栅极驱动器 IC，带振荡器、集成自举 FET、可编程频率和可编程关断
数据手册
封装
每件.
有存货

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IRS21531DS
IRS21531DS
每件.
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (On)
    9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8 V
  • VCC UVLO (Off)
    9 V
  • VCC UVLO (On)
    11 V
  • Turn Off Propagation Delay
    150 ns
  • Turn On Propagation Delay
    680 ns
  • Voltage Class
    600 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    10.1 V to 15.4 V
  • Output Current (Sink)
    0.26 A
  • Output Current (Source)
    0.18 A
  • Channels
    2
  • Configuration
    Half Bridge
  • Isolation Type
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
受到推崇的
OPN
IRS21531DSTRPBF
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 N/A
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
EiceDRIVER ™ 600 V 半桥栅极驱动器 IC，具有典型的 0.18 A 拉电流和 0.26 A 灌电流，采用 8 引线 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。还提供 8 引脚 PDIP。

特性

  • 整数。 600 V 半桥驱动器
  • CT、RT 可编程振荡器
  • 15.4V 齐纳钳位 Vcc
  • 微功耗启动
  • CT 引脚上的非锁存关断
  • 内部自举 FET
  • +/- 50 V/ns dV/dt 抗扰度
  • 内部死区时间
  • 典型死区时间 0.6 µs (IRS21513D)
  • 典型死区时间 1.1 µs (IRS2153D)

图表

Circuit_Diagramm_IRS21531DS
Circuit_Diagramm_IRS21531DS
Circuit_Diagramm_IRS21531DS Circuit_Diagramm_IRS21531DS Circuit_Diagramm_IRS21531DS
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