现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IRSM808-204MH

CIPOS ™ Nano 250 V、0.15 Ω半桥智能功率模块
数据手册
封装
多个 OPN 可用
每件.

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IRSM808-204MH
IRSM808-204MH
每件.
数据手册

商品详情

  • Pmot (10kHz)
    200 W
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) max
    0.15 Ω
  • 产品名称
    IRSM808-204MH
  • 产品类别
    Intelligent Power Modules (IPM)
  • 产品组
    CIPOS™ Nano
  • 其他信息
    Electrical
  • 内置NTC
    No
  • 加密
    No
  • 开关器件类型
    MOSFET
  • 电压等级
    250 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 语言
    PLECS
  • 配置
    Half-Bridge
  • 额定电流
    20 A
推荐的
OPN
IRSM808-204MH IRSM808-204MHTR
产品状态 active and preferred active and preferred
英飞凌封装名称
QFN 9X8 31L
QFN 9X8 31L
封装名 QFN 8x9 QFN 8x9
包装尺寸 1300 2000
包装类型 TRAY TAPE & REEL
湿度 3 3
防潮包装 DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
QFN 9X8 31L
封装名 QFN 8x9
包装尺寸 1300
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
QFN 9X8 31L
封装名 QFN 8x9
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CIPOS ™ Nano 250 V、0.15 Ω 半桥 MOSFET 智能功率模块采用 QFN 8x9 封装，通过小型 QFN 封装中的坚固 IC 提供超紧凑、半桥拓扑解决方案，适用于空间受限的小型家电、低功率驱动器。此外，其低侧开关（LIN）的反向逻辑和可调死区时间使用户能够使用单个 PWM 信号运行该半桥 IPM。

特性

  • 基于低 RDS(on) 沟槽 FREDFET
  • 集成自举功能
  • 欠压锁定
  • 匹配属性。两个通道均延迟。
  • 3.3V 输入逻辑兼容
  • 高电平有效 HIN 和低电平有效 LIN
  • M.额定功率高达 205 W@10 kHz

图表

Internal_IRSM808-204MH
Internal_IRSM808-204MH
Internal_IRSM808-204MH Internal_IRSM808-204MH Internal_IRSM808-204MH
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