IRXF5210STRL
即将推出
符合RoHS标准

IRXF5210STRL

认证商用现货 -100 V、-38 A、p 沟道 MOSFET，采用 TO-263 密封封装
数据手册
封装

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IRXF5210STRL
IRXF5210STRL
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -38 A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    60 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    -100 V
  • 封装
    TO-263
  • 极性
    P
  • 系列
    Assured COTS+ power MOSFETs
  • 认证标准
    JESD-22
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IR HiRel 技术提供高性能功率 MOSFET。低 RDS(on) 和低栅极电荷的组合特性降低了开关应用中的功耗，例如 DC-DC 转换器和电机控制器。这些器件保留了 MOSFET 的所有公认优点，例如电压控制、快速开关和电气参数的温度稳定性。该封装支持有铅浸焊工艺。

特性

  • 先进制程技术
  • 小封装
  • 超低导通电阻
  • 快速开关
  • 有铅浸焊
  • 符合 JESD-22 标准

应用

应用
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