IRXPT60R022S7
即将推出
符合RoHS标准

IRXPT60R022S7

采用英飞凌 CoolMOS™ SJ S7 技术的认证商用现货 600 V、375 A、N 沟道 MOSFET
数据手册
封装

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IRXPT60R022S7
IRXPT60R022S7
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    375 A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    22 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    600 V
  • 封装
    PG-HSOF-8
  • 极性
    N
  • 系列
    Assured COTS+ power MOSFETs
  • 认证标准
    JESD-22
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRXPT60R022S7 为低频开关应用提供了最佳性价比。CoolMOS™ S7 拥有 HV SJ MOSFET 中最低的 Rdson 值，显著提高了能效。CoolMOS™ S7 针对“静态开关”和大电流应用进行了优化。它非常适合固态继电器和断路器设计，以及开关电源和逆变器拓扑中的线路整流。可进行有铅浸焊。

特性

  • 低 RDS(on)
  • 小封装
  • 高脉冲电流能力
  • 开尔文源极引脚
  • 符合 MSL1
  • 有铅浸焊
  • 塑料封装
  • 符合 JESD-22 标准

应用

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