现货，推荐
符合RoHS标准

ISC022N10NM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 100 V 正常电平，采用 SuperSO8 封装
数据手册
封装
评估板
每件.
有存货

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ISC022N10NM6
ISC022N10NM6
每件.
数据手册

商品详情

  • ID max
    230 A
  • ID (@25°C) max
    230 A
  • IDpuls max
    920 A
  • Ptot max
    254 W
  • QG
    73 nC
  • QG (typ @10V)
    73 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.24 mΩ
  • RDS (on) max
    2.24 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    SuperSO8 5x6
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    8 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    Fused leads
  • Battery voltage
    48-72 V
  • Budgetary Price €/1k
    1.74
受到推崇的
OPN
ISC022N10NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 SuperSO8 FL
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 SuperSO8 FL
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
ISC022N10NM6 OptiMOS ™ 6 100 V 的正常电平正在为功率 MOSFET 设定新的技术标准。与其他产品相比，英飞凌领先的薄晶圆技术具有显著的性能优势。 OptiMOS ™ 6 工业功率 MOSFET 100 V 专为电信和服务器电源等高开关频率应用而设计，也是太阳能、电动工具和无人机等其他应用的理想选择。

特性

  • 实现：降低 RDS(on)
  • FOMg
  • 低且软反向恢复电荷
  • 非常适合高开关频率
  • 根据 J-STD-020 分类为 MSL 1
  • 175 °C 结温额定值
  • 高雪崩能量额定值
  • 无铅镀铅
  • 符合 RoHS 标准

产品优势

  • 低传导损耗
  • 低开关损耗
  • 快速开启和关闭
  • 无需并联
  • 性能稳定可靠
  • 环保
  • 无需并联

文档

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设计资源

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