现货，推荐
符合RoHS标准

ISC025N06LM6

OptiMOS™ 6 60 V - 最新的功率 MOSFET 技术，树立了行业基准性能的新标准。
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ISC025N06LM6
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    143 A
  • QG (typ @10V)
    46 nC
  • QG (typ @4.5V)
    22 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    3.4 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6 FL
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
推荐的
OPN
ISC025N06LM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 FL
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 FL
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
与前代产品 OptiMOS™ 5 相比，英飞凌最新的晶圆技术实现了显著的性能提升，包括 RDS(on) 降低 37% 以上，FOMQg x RDS(on) 提高约 25%。这些性能提升可提高软开关拓扑和低频应用中的系统效率和功率密度。

特性

  • High performance silicon technology
  • Soft-switching optimized
  • Normal level gate drive
  • 175°C rated
  • Industrial qualification

产品优势

  • Lower conduction losses than OptiMOS™ 5
  • Lower switching losses than OptiMOS™ 5
  • Improved performance efficiency
  • Superior power handling capability
  • Robust reliable performance

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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