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现货，推荐
符合RoHS标准

ISC025N08NM6SC

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OptiMOS™ 6 N沟道功率 MOSFET 80 V 采用 SuperSO8 双面散热封装
数据手册
封装

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ISC025N08NM6SC
ISC025N08NM6SC
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    170 A
  • 最高 IDpuls
    680 A
  • QG (typ @10V)
    46 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.5 mΩ
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.4 V 至 3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6 DSC
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
推荐的
OPN
ISC025N08NM6SCATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 SuperSO8 5x6 DSC
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 SuperSO8 5x6 DSC
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS™ 6 功率 MOSFET，80V - 最新的功率 MOSFET 技术，提供行业标杆性能。 与前代产品 OptiMOS™ 5 相比，英飞凌最新的晶圆技术实现了显著的性能提升，包括在TO-220封装中， R DS(on) 降低 21% 以上，FOMQg x R DS(on) 降低约 40%。性能的提升带来了更高的系统效率和功率密度。

特性

  • 高性能硅技术
  • 贴合应用的低 RDS(on)
  • 低顶部热阻 RthJC (0.72 K/W)
  • 标准电平栅极驱动
  • 额定温度175°C
  • 工业认证

产品优势

  • 比OptiMOS™ 5 更低的导通损耗
  • 开关损耗低于OptiMOS™ 5
  • 散热性能更优
  • 功率处理能力更强
  • 性能稳健可靠

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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