ISC040N10NM7
现货，推荐
符合RoHS标准

ISC040N10NM7

OptiMOS™ 7 N 沟道功率 MOSFET，100 V，SSO8 封装
数据手册
封装

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ISC040N10NM7
ISC040N10NM7
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    130 A
  • QG (typ @10V)
    39 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.3 V 至 3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
推荐的
OPN
ISC040N10NM7ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 N/A
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 -
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS™ 7 100V 是最新技术，以效率与性能的完美平衡，树立了新的行业标杆。与 SuperSO8 中的 OptiMOS™ 5 相比，FOM 提升超过 32%。 与 OptiMOS™ 5 相比，开关性能更优。 使用方便，体二极管更软

特性

  • 高性能硅技术
  • 常规电平栅极驱动
  • 额定结温175°C
  • 工业级认证

产品优势

  • 与 OptiMOSTM5 相比，FOM 性能更优
  • 与 OptiMOSTM5 相比，开关性能更优
  • 易于使用
  • 软体二极管
  • 易于使用
  • 性能稳定可靠
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