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符合RoHS标准

ISC0802NLS

OptiMOS ™低压功率 MOSFET - 完美满足充电器和适配器设计的需求
数据手册
封装

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ISC0802NLS
ISC0802NLS
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    150 A
  • QG (typ @4.5V)
    29 nC
  • QG (typ @10V)
    55 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3.6 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    4.8 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.54
OPN
ISC0802NLSATMA1
产品状态 on request
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 on request
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ PD 功率 MOSFET 是英飞凌针对 USB-PD 和适配器应用的产品组合。SuperSO8 封装中的 ISC0802NLS 可实现快速提升并优化交货时间。用于电力传输的 OptiMOS ™低压 MOSFET 可减少设计中的零件数量，从而降低 BOM 成本。OptiMOS ™ PD 的特点是采用紧凑、轻便的封装，提供优质的产品。

特性

  • 逻辑电平可用性
  • 低导通电阻 RDS(on)
  • 低栅极、输出和反向恢复电荷
  • 出色的热性能
  • 提供 2 种小型标准封装

产品优势

  • 交货周期短
  • 快速报价响应
  • 最高效率和功率密度设计
  • 紧凑、轻便、环保的产品
  • 卓越的性价比

文档

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