ISP12DP06NM
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

ISP12DP06NM

常规和逻辑电平的 P 沟道 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂性
数据手册
封装

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ISP12DP06NM
ISP12DP06NM
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -2.8 A
  • 最高 IDpuls
    -11.2 A
  • 最高 Ptot
    4.2 W
  • QG (typ @10V)
    -20.2 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    125 mΩ
  • Special Features
    Small Signal
  • 最高 VDS
    -60 V
  • VGS(th) 范围
    -2.1 V 至 -4 V
  • 封装
    SOT-223
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    P
  • 预算价格€/1k
    0.24

推荐的
OPN
ISP12DP06NMXTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SOT223-4
封装名 SOT-223
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
AT,MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SOT223-4
封装名 SOT-223
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
AT,MY
OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 60 V 采用 SOT-223 封装，适用于电池管理、负载开关和反极性保护应用，可降低中低功率应用的设计复杂性。易于与 MCU 接口、快速切换以及雪崩强度使其适用于高质量要求的应用。可提供正常水平，具有较宽的 RDS(on) 范围，并可提高低负载下的效率。

特性

  • VDS = -60V
  • 宽RDS(on)范围
  • 逻辑电平可用性

产品优势

  • 轻松与 MCU 接口
  • 低负载下效率更高
  • 快速切换
  • 抗雪崩能力强

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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