ISSI20B11F
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

ISSI20B11F

无芯变压器高级固态隔离器
数据手册
封装

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ISSI20B11F
ISSI20B11F
数据手册


商品详情

  • 最高 Gate Drive Current
    400 mA
  • Gate Drive Voltage
    17 V
  • Input Voltage typ
    3.3
  • 最高 Iout
    400 mA
  • Viso
    3 kV
  • 产品类别
    Galvanic Isolation – Functional
  • 供电电压
    3.3 V
  • 工作温度
    125 °C
  • 工作温度范围 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 开关器件类型
    IGBT, SiC MOSFET, MOSFET
  • 技术
    Coreless transformer
  • 模拟器
    PSPICE
  • 湿度敏感等级
    3
  • 爬行距离[mm]
    4
  • 特性
    OCP or OTP (PTC)
  • 电压等级
    3000 V
  • 类型
    Fast turn-on
  • 系列
    Solid State Isolators
  • 认证
    UL1577
  • 质量等级
    Industrial
  • 输入信号电压 范围
    2.85 V 至 3.5 V, 2.85 V 至 3.5 V
  • 输入信号电压
    3.3 V
  • 输出电压类型
    15
  • 输出的数量
    1
  • 隔离类型
    Galvanic Isolation – Functional

推荐的
OPN
ISSI20B11FXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 N/A
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 -
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
DE
这种固态隔离器在 3 kV rms 电隔离屏障提供强大的能量传输。输出级无需专用电源。输入到输出缓冲驱动可实现快速启闭，以实现安全开关 SOA 工作。这种器件特点是过流或过温保护，能够轻松、安全地构建受保护的固态继电器。

特性

  • 无芯变压器技术
  • 跨隔离屏障的能量传输
  • 驱动基准英飞凌 MOSFET
  • 温度或电流保护输入
  • 400 mA 导通电流和 160 mA 关断电流
  • PG-DSO-8 封装 (PG-DSO-8 150mil)

产品优势

  • 无需隔离偏置电源
  • 电气隔离高达 3 kV
  • 最大限度减少对散热器的需求
  • 最广泛的可控开关范围
  • 大型应用平台
  • 消除开关的误触发导通
  • 符合 UL 1577 标准
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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