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JANSF2N7624U3CE

数据手册
封装

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JANSF2N7624U3CE
JANSF2N7624U3CE
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@25°C)
    -22 A
  • QG
    36 nC
  • QPL部件号
    2N7624U3CE
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    0.072 Ω
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5e
  • 极性
    P
  • 生成
    R7
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7624U3CE 是一款耐辐射的 P 沟道 MOSFET，耐压 -60 V，额定电流 -22 A，采用带陶瓷盖的单个 SMD-0.5e 增强型封装，电性能高达 300 krad(Si) TID。IR HiRel R7 逻辑电平驱动功率 MOSFET为将 CMOS 和 TTL 控制电路连接到太空和其他辐射环境中的功率器件提供了简单的解决方案。

特性

  • 抗单粒子效应加固
  • 5 V CMOS 和 TTL 兼容
  • 快速开关
  • 低总栅极电荷
  • 驱动要求简单
  • 气密密封
  • 陶瓷封装
  • 重量轻
  • 表贴安装
  • 静电防护等级：1C 级（MIL-STD-750，1020）

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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