JANSR2N7592T3
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JANSR2N7592T3

数据手册
封装

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JANSR2N7592T3
JANSR2N7592T3
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    10 A
  • 最高 ID (@25°C)
    16 A
  • QG
    42 nC
  • QPL部件号
    2N7592T3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    130 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7592T3 N 沟道 MOSFET 专为空间应用中的高性能功率而设计。这些抗辐射 R6 MOSFET 可承受高达 100V 和 20A 的电压，电气性能高达 300krad(Si) TID。这些 MOSFET 采用 TO-257AA 低欧姆封装，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗。MOSFET 符合 QPL 认证并保留了 MOSFET 技术的所有优点。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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