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符合RoHS标准
无铅

S25FL128SAGBHVC03

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封装
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S25FL128SAGBHVC03
S25FL128SAGBHVC03
数据手册

商品详情

  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    52 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25FL128SAGBHVC03
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL128SAGBHVC03是一款128 Mb SPI多I/O NOR闪存，采用65纳米MIRRORBIT™技术和Eclipse架构。核心电压2.7 V至3.6 V，I/O电压1.65 V至3.6 V，四路模式下最大读速52 MBps，Quad DDR模式下达80 MBps。支持混合扇区，10万次擦写，先进扇区保护，AEC-Q100车规认证，最高工作温度125°C。适用于汽车系统中的代码影像、XIP和数据存储。

特性

  • MIRRORBIT™技术单元存2位数据
  • Eclipse架构加快编程/擦除
  • SPI多I/O：x1、x2、x4支持
  • SDR/DDR读模式最高80 MBps
  • 256B/512B页编程缓冲区
  • 混合/统一扇区擦除选项
  • 10万次擦写寿命
  • 20年数据保持
  • 1024字节OTP区域
  • 高级扇区/块保护功能
  • 核心电压2.7-3.6 V，I/O 1.65-3.6 V
  • 工作温度–40°C至+125°C

产品优势

  • 高密度可靠存储代码和数据
  • 快速擦除/编程提升系统性能
  • 灵活I/O兼容多主机
  • 高速读取适合XIP应用
  • 高效页缓冲加速编程
  • 多种擦除选项便于兼容旧系统
  • 长寿命减少维护
  • 数据保持确保长期可靠
  • OTP区域提升系统安全
  • 强大保护防止数据损坏
  • 宽电压适配多系统
  • 宽温度适应恶劣环境

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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