现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FL128SAGNFI001

数据手册
封装
软件
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S25FL128SAGNFI001
S25FL128SAGNFI001
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    52 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25FL128SAGNFI001
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-18827)
包装尺寸 2050
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-18827)
包装尺寸 2050
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S25FL128SAGNFI001是一款128 Mb（16 MB）SPI多I/O NOR闪存，采用英飞凌65纳米MIRRORBIT™技术和Eclipse架构。支持单、双、四路SPI模式及DDR操作，四路模式下读取速度高达52 MBps（104 MHz），Quad DDR模式下可达80 MBps（80 MHz）。工作电压2.7 V至3.6 V（核心）、1.65 V至3.6 V（I/O），具备10万次擦写、20年数据保存、高级安全、灵活分区和AEC-Q100车规认证，适用于高要求代码和数据存储。

特性

  • CMOS 3.0 V内核，灵活I/O
  • SPI多I/O接口
  • 支持DDR和SDR时钟
  • 24/32位扩展寻址
  • 多种读取模式：普通、快速、双、四、DDR
  • 页编程速率高达1.5 MBps
  • 自动ECC单比特纠错
  • 混合/统一扇区擦除选项
  • 10万次擦写寿命
  • 20年数据保存
  • 1024字节OTP安全区
  • 高级扇区和块保护

产品优势

  • 灵活I/O简化系统集成
  • 高速SPI提升数据吞吐
  • DDR/SDR设计灵活
  • 扩展寻址支持大容量
  • 多读取模式优化性能
  • 快速编程加速生产
  • ECC提升数据可靠性
  • 扇区选项便于兼容
  • 高耐久降低维护成本
  • 长期保存确保数据安全
  • OTP区实现安全ID
  • 保护机制增强安全性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }