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符合RoHS标准
无铅

S25FL512SDPBHVC13

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S25FL512SDPBHVC13
S25FL512SDPBHVC13
数据手册

商品详情

  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25FL512SDPBHVC13
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15534)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL512SDPBHVC13是一款512 Mb（64 MB）SPI多I/O NOR闪存，采用Infineon 65 nm MIRRORBIT™技术和Eclipse™架构。支持单、双、四SPI模式及DDR读命令，最大读取速率达80 MBps。核心电压2.7 V至3.6 V，I/O电压1.65 V至3.6 V，具备10万次擦写周期和20年数据保持。AEC-Q100汽车级和高级扇区保护适用于安全存储。

特性

  • CMOS 3.0 V内核与多功能I/O
  • SPI多I/O及DDR选项
  • 32位扩展寻址
  • 正常/快速/双/四/DDR读取
  • 512字节页编程缓冲区
  • 自动ECC单比特纠错
  • 均匀256KB扇区
  • 10万次擦写寿命
  • 20年数据保持
  • 1024字节OTP安全区
  • 扇区保护与高级保护
  • VCC:2.7-3.6 V,VIO:1.65V至VCC+0.2 V

产品优势

  • 灵活3.0 V简化设计
  • 高速SPI快速访问数据
  • 大寻址空间支持大型系统
  • 多读取模式优化性能
  • 快速编程提升效率
  • ECC保障数据可靠
  • 均匀扇区简化擦除
  • 高耐久降低维护成本
  • 长期保存数据安全
  • OTP增强系统安全
  • 保护机制防止数据丢失
  • 宽电压适配多平台

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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