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符合RoHS标准
无铅

S25HL512TDPNHI013

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封装
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S25HL512TDPNHI013
S25HL512TDPNHI013
数据手册

商品详情

  • Publish in NPSG
    N
  • Publish in PSG
    N
  • Density
    512 MBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 85 °C
  • Operating Voltage
    3 V
  • Lead Ball Finish
    Matte Tin Plating
  • Interface Bandwidth
    66 MByte/s
  • Interfaces
    Quad SPI
  • Interface Frequency (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Family
    HL-T
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
S25HL512TDPNHI013
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25HL512TDPNHI013 是英飞凌 SEMPER ™ NOR 闪存系列的成员。它采用 45 纳米 MIRRORBIT ™技术和四路 SPI 接口，实现高速性能。其密度为512 Mbit，接口带宽为66 MByte/s，工作电压为3V，提供多样化的扇区架构选择，256或512字节的页编程缓冲区，以及1024字节的OTP安全硅阵列。

特性

  • 四路 SPI
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性 10 年以上
  • 数据保留 25 年
  • 安全启动和诊断

应用

文档

文档

设计资源

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