现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

S25HS02GTDPBHM050

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S25HS02GTDPBHM050
S25HS02GTDPBHM050

商品详情

  • 分类
    ISO 26262-compliant
  • 密度
    2 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 125 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • 目前计划的可用性至少到
    2037
  • 系列
    HS-T
  • 认证标准
    Automotive
OPN
S25HS02GTDPBHM050
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 FBGA-24 (002-24801)
包装尺寸 260
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 FBGA-24 (002-24801)
包装尺寸 260
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25HS02GTDPBHM050是一款2 Gb SEMPER™ NOR闪存,采用Infineon 45纳米MIRRORBIT™技术,24球BGA双芯片封装。工作电压1.7 V至2.0 V,支持Quad SPI接口,DDR读取速度高达102 MBps,具备ECC数据完整性保护。耐久性架构实现高耐久与长数据保留。扇区保护和ISO26262 ASIL B认证保障安全。符合AEC-Q100 grade 1(-40°C至+125°C)标准,主存储区支持2,560,000次擦写和25年数据保留,适用于关键环境。

特性

  • 内嵌ECC校正1位,检测2位错误
  • Endurance flex可配置耐久均衡
  • 硬件CRC数据完整性校验
  • 多重数据保护:LBP、ASP、SSR
  • SafeBoot微控器故障恢复
  • 支持Quad SPI、双I/O、QPI、SDR/DDR
  • 页编程最大512字节
  • 支持编程/擦除挂起与恢复
  • 四种复位方式:硬件、上电、CS#、软件
  • 深度掉电模式降低待机电流
  • 宽VCC:HL-T 2.7–3.6 V,HS-T 1.7–2.0 V
  • 工业温度范围–40°C至+85°C

产品优势

  • ECC确保数据存储与读取可靠
  • 均衡耐久延长闪存寿命
  • CRC快速验证数据完整性
  • 灵活保护防止数据丢失
  • SafeBoot支持故障恢复
  • 高速接口提升数据吞吐
  • 大页编程提高效率
  • 挂起/恢复增强系统响应
  • 多重复位提升系统健壮性
  • DPD模式适合低功耗需求
  • 支持多种电源与应用场景
  • 高温环境下稳定运行

文档

设计资源

开发者社区

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