S25HS02GTDPBHV150
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

S25HS02GTDPBHV150

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S25HS02GTDPBHV150
S25HS02GTDPBHV150

商品详情

  • 密度
    2 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • 目前计划的可用性至少到
    2037
  • 系列
    HS-T
  • 认证标准
    Industrial
OPN
S25HS02GTDPBHV150
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 FBGA-24 (002-24801)
封装尺寸 520
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 FBGA-24 (002-24801)
封装尺寸 520
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25HS02GTDPBHV150是2.0 GBit SEMPER™ NOR闪存(HS-T),用于工业嵌入式系统的代码与数据存储。采用Quad SPI接口,支持133 MHz SDR或66 MHz DDR,带宽最高66 MByte/s。工作电压1.7 V至2.0 V,温度范围-40°C至105°C。提供ECC(SECDED)、阵列CRC、SafeBoot及扇区保护等功能。无卤且符合RoHS。

特性

  • 45 nm MIRRORBIT™每单元2位
  • 多芯片封装:2×1 Gb晶圆
  • 统一或混合扇区架构
  • 256或512字节编程缓存
  • 1024字节OTP安全区(SSR)
  • Quad SPI:1-1-4/1-4-4/4-4-4
  • Quad SPI DDR读至102 MBps
  • 16字节单元ECC(汉明码)
  • 1位纠错,2位检测上报
  • ECC状态/地址陷阱/计数器
  • Endurance flex磨损均衡分区
  • LBP+ASP扇区/块保护

产品优势

  • 更高密度减少PCB占用
  • 单一器件集成更多容量
  • 兼顾参数区与大容量存储
  • 更快编程缩短更新停机
  • 保护密钥/ID防克隆
  • 主机接口更易兼容复用
  • 更快启动与XIP代码执行
  • ECC提升读取数据可靠性
  • 提前发现数据损坏风险
  • 加快调试与现场诊断定位
  • 磨损均衡延长闪存寿命
  • 防止误擦除或误写入

应用

文档

设计资源

开发者社区