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符合RoHS标准
无铅

S25HS512TFANHI013

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S25HS512TFANHI013
S25HS512TFANHI013

商品详情

  • Publish in NPSG
    N
  • Publish in PSG
    N
  • Density
    512 MBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 85 °C
  • Operating Voltage
    1.8 V
  • Lead Ball Finish
    Matte Tin Plating
  • Interface Bandwidth
    102 MByte/s
  • Interfaces
    Quad SPI
  • Interface Frequency (SDR/DDR) (MHz)
    166 / 102
  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Family
    HS-T
  • Qualification
    Industrial
OPN
S25HS512TFANHI013
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25HS512TFANHI013 是英飞凌 SEMPER ™ NOR 闪存系列的成员。该 HS-T 变体拥有 512 Mbit 的密度,并配有四路 SPI 接口,允许接口带宽为 102 MByte/s。该设备的工作电压为 1.8V,接口频率为 166 MHz(SDR)和 102 MHz(DDR)。它采用 PG-WSON-8 封装,确保占用空间最小。它基于英飞凌的 45 纳米 MIRRORBIT ™技术构建,允许每个存储单元存储两个数据位。

特性

  • 四路 SPI
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性 10 年以上
  • 数据保留 25 年
  • 安全启动和诊断

应用

文档

设计资源

开发者社区

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