现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25HS512TFANHI013

数据手册
封装

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S25HS512TFANHI013
S25HS512TFANHI013
数据手册

商品详情

  • 在NPSG中发布
    N
  • 在PSG中发布
    N
  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    102 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    166 / 102
  • 目前计划的可用性至少到
    2037
  • 系列
    HS-T
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25HS512TFANHI013
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25HS512TFANHI013 是英飞凌 SEMPER ™ NOR 闪存系列的成员。该 HS-T 变体拥有 512 Mbit 的密度，并配有四路 SPI 接口，允许接口带宽为 102 MByte/s。该设备的工作电压为 1.8V，接口频率为 166 MHz（SDR）和 102 MHz（DDR）。它采用 PG-WSON-8 封装，确保占用空间最小。它基于英飞凌的 45 纳米 MIRRORBIT ™技术构建，允许每个存储单元存储两个数据位。

特性

  • 四路 SPI
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性 10 年以上
  • 数据保留 25 年
  • 安全启动和诊断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }