现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25HS512TFANHV010

数据手册
封装

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S25HS512TFANHV010
S25HS512TFANHV010
数据手册

商品详情

  • Density
    512 MBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 105 °C
  • Operating Voltage
    1.8 V
  • Lead Ball Finish
    Matte Tin Plating
  • Interface Bandwidth
    102 MByte/s
  • Interfaces
    Quad SPI
  • Interface Frequency (SDR/DDR) (MHz)
    166 / 102
  • Family
    HS-T
  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
S25HS512TFANHV010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 1690
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 1690
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25HS512TFANHV010 是英飞凌 SEMPER ™ NOR 闪存系列的成员。它具有 512 Mbit 密度，并在四路 SPI 接口上运行，带宽为 1.8 V 时为 102 MByte/s。该设备还提供分别为 166/102 MHz 的单/双倍数据速率 (SDR/DDR) 接口频率。该产品采用英飞凌的 45 纳米 MIRRORBIT ™技术打造，可为每个内存阵列单元提供更多的数据存储。

特性

  • 四路 SPI
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性 10 年以上
  • 数据保留 25 年
  • 安全启动和诊断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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