现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25HS512TFANHV010

数据手册
封装

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S25HS512TFANHV010
S25HS512TFANHV010
数据手册

商品详情

  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    102 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    166 / 102
  • 目前计划的可用性至少到
    2037
  • 系列
    HS-T
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25HS512TFANHV010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 1690
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (002-15552)
包装尺寸 1690
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25HS512TFANHV010是一款512 Mb SEMPER™ NOR闪存，采用Infineon 45纳米MIRRORBIT™技术，提升密度和可靠性。工作电压1.7 V至2.0 V，支持-40°C至125°C汽车级温度（AEC-Q100 Grade 1）。具备灵活扇区架构、SECDED ECC、先进保护机制、ISO26262 ASIL B/D认证及128万次擦写。高速Quad SPI接口（SDR最高83 MBps，DDR最高102 MBps），适用于汽车领域。25年数据保持，确保长期可靠性。

特性

  • 45 nm MIRRORBIT™单元存2位数据
  • 均匀与混合扇区架构
  • 256/512字节页编程缓冲区
  • 1024字节OTP安全硅阵列
  • Quad SPI最高102 MBps (DDR, 102 MHz)
  • Dual SPI最高41.5 MBps (SDR, 166 MHz)
  • SPI最高21 MBps (SDR, 166 MHz)
  • 功能安全：ISO26262 ASIL B合规
  • Endurance Flex高耐久/长保留分区
  • 数据完整性CRC与内建ECC
  • SafeBoot支持初始化/配置恢复
  • 传统与高级扇区保护

产品优势

  • 高密度可靠存储节省空间
  • 灵活扇区适应多场景需求
  • 快速编程提升效率
  • OTP保障设备安全
  • 高速SPI实现快速传输
  • 功能安全适用于关键应用
  • 分区优化耐久与保存
  • CRC/ECC保障数据完整性
  • SafeBoot提升系统可靠性
  • 高级保护防止非法访问
  • 即刻启动加快系统响应
  • 硬件复位提升系统稳定

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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