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符合RoHS标准
无铅

S26HS02GTFPBHB053

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S26HS02GTFPBHB053
S26HS02GTFPBHB053

商品详情

  • 分类
    ISO 26262-compliant
  • 在NPSG中发布
    N
  • 在PSG中发布
    N
  • 密度
    2 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    333 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 166
  • 目前计划的可用性至少到
    2037
  • 系列
    HS-T
  • 认证标准
    Automotive
OPN
S26HS02GTFPBHB053
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 FBGA-24 (002-24801)
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 FBGA-24 (002-24801)
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S26HS02GTFPBHB053是一款2 Gb SEMPER™ NOR闪存,采用Infineon 45纳米MIRRORBIT™技术,支持HYPERBUS™和传统SPI接口,符合JEDEC JESD251标准。DDR读速最高332 MBps(166 MHz),具备可配置扇区架构和ISO 26262 ASIL-B安全特性及ECC。工作电压1.7–2.0 V,耐久256万次循环,数据保留25年,适用于汽车和工业领域。

特性

  • MIRRORBIT技术单元存储2位数据
  • HYPERBUS接口DDR速率高达332 MBps
  • 符合JEDEC JESD251 xSPI标准
  • 兼容传统SPI接口(SDR至21 MBps)
  • 灵活扇区架构:均匀或混合
  • 页编程缓存:256或512字节
  • OTP安全硅区:1024字节
  • 功能安全:ISO26262 ASIL B认证
  • 接口与数据完整性CRC
  • 内置ECC:SECDED纠错
  • 高级扇区保护
  • CS#或RESET#硬件复位

产品优势

  • 单元2位提升存储密度
  • 332 MBps DDR实现高速访问
  • xSPI标准确保兼容性
  • 双接口便于系统集成
  • 灵活扇区适应多场景
  • 大缓存加快编程速度
  • OTP区保护敏感数据
  • 功能安全支持车规应用
  • CRC/ECC提升数据可靠性
  • 扇区保护防止误擦写
  • 硬件复位增强系统可靠性

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }