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符合RoHS标准
无铅

S29GL064S70DHI040

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封装
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S29GL064S70DHI040
S29GL064S70DHI040
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    70 ns
  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    GL-S
  • 认证标准
    Industrial
  • 页面访问时间
    15 ns
推荐的
OPN
S29GL064S70DHI040
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-15537)
包装尺寸 2600
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-15537)
包装尺寸 2600
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S29GL064S70DHI040是一款64 Mb（8 MB）并行NOR闪存，采用65 nm MIRRORBIT™技术，访问时间为70 ns，支持16位或8/16位可配置数据总线。单电源2.7 V至3.6 V，适用于最高+105°C的工业和汽车温度，符合AEC-Q100认证。具备灵活扇区架构、高级扇区保护、硬件ECC和安全硅区，适用于汽车、工业和嵌入式系统中的代码存储和数据记录。

特性

  • 3.0 V单电源操作
  • 65 nm MIRRORBIT™工艺
  • 16位或8/16位数据总线
  • 70 ns访问, 15 ns页读
  • 8字/16字节页读缓冲
  • 128字/256字节写缓冲
  • 内部ECC单比特纠错
  • 高级扇区保护(持久/密码)
  • 每扇区10万次擦写
  • 典型20年数据保持
  • 自动休眠与待机模式
  • JEDEC CFI和命令兼容

产品优势

  • 3.0 V简化电源设计
  • 65 nm工艺提升可靠性
  • 灵活总线兼容多平台
  • 快速访问提升性能
  • 页缓冲加快数据读取
  • 写缓冲提升编程速度
  • ECC提升数据完整性
  • 多级保护增强安全
  • 高耐久降低维护成本
  • 长期保存保障数据
  • 低功耗延长电池寿命
  • JEDEC兼容便于集成

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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