现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S29GL512T10DHA010

数据手册
封装
软件

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S29GL512T10DHA010
S29GL512T10DHA010
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    100 ns
  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    GL-T
  • 认证标准
    Automotive
  • 页面访问时间
    15 ns
推荐的
OPN
S29GL512T10DHA010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-15537)
包装尺寸 2600
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-15537)
包装尺寸 2600
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S29GL512T10DHA010是一款基于45纳米工艺的512 Mb（64 MB）并行MIRRORBIT™闪存，具备100 ns随机访问和15 ns页面访问速度。单电源工作电压为2.7 V至3.6 V，I/O电压范围1.65 V至VCC。主要特性包括512字节编程缓冲区、内部单比特ECC、均匀128 KB扇区、先进扇区保护和10万次擦写周期。通过AEC-Q100认证，数据保持20年，适用于汽车和工业嵌入式系统。

特性

  • 45 nm MIRRORBIT™技术
  • 单电源读/写/擦除（2.7–3.6 V）
  • 灵活I/O电压（1.65 V至VCC）
  • ×8/×16数据总线
  • 512字节编程缓冲区
  • 硬件ECC单比特纠错
  • 均匀128KB扇区
  • 高级扇区保护（ASP）
  • 每扇区10万次擦写
  • 典型20年数据保持
  • 上电/低VCC写入禁止
  • 状态寄存器/数据轮询/就绪忙引脚

产品优势

  • 高密度适合嵌入式应用
  • 灵活I/O兼容多主机系统
  • 512字节缓冲区加速编程
  • 内置ECC保障数据可靠
  • 均匀扇区简化管理
  • ASP增强数据安全
  • 10万次擦写寿命长
  • 数据可保存20年
  • 防止上电误写
  • 状态监控方便诊断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }