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S29GL512T10FAI013

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S29GL512T10FAI013
S29GL512T10FAI013
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    100 ns
  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    220 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Pb
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    GL-T
  • 认证标准
    Industrial
  • 页面访问时间
    15 ns
推荐的
OPN
S29GL512T10FAI013
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
P-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-15536)
包装尺寸 1600
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
P-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-15536)
包装尺寸 1600
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S29GL512T10FAI013是一款512 Mb（64 MB）并行NOR闪存，采用45纳米MIRRORBIT™技术，随机访问时间低至100 ns，工作电压为2.7 V至3.6 V，支持×8/×16数据总线。主要特性包括512字节编程缓冲区、内部ECC、128 KB均匀扇区和高级扇区保护。擦写寿命达10万次，通过AEC-Q100汽车级认证，适用于高可靠性嵌入式应用。

特性

  • 45 nm MIRRORBIT™技术
  • 单电源读/写/擦除（2.7–3.6 V）
  • 灵活I/O电压（1.65 V至VCC）
  • ×8/×16数据总线
  • 512字节编程缓冲区
  • 硬件ECC单比特纠错
  • 均匀128KB扇区
  • 高级扇区保护（ASP）
  • 每扇区10万次擦写
  • 典型20年数据保持
  • 上电/低VCC写入禁止
  • 状态寄存器/数据轮询/就绪忙引脚

产品优势

  • 高密度适合嵌入式应用
  • 灵活I/O兼容多主机系统
  • 512字节缓冲区加速编程
  • 内置ECC保障数据可靠
  • 均匀扇区简化管理
  • ASP增强数据安全
  • 10万次擦写寿命长
  • 数据可保存20年
  • 防止上电误写
  • 状态监控方便诊断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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