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符合RoHS标准
无铅

S29GL512T12TFN010

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每件.
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S29GL512T12TFN010
S29GL512T12TFN010
每件.
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    120 ns
  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 125 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    GL-T
  • 认证标准
    Industrial
  • 页面访问时间
    15 ns
推荐的
OPN
S29GL512T12TFN010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-56
封装名 TSOP-56 (002-15549)
包装尺寸 182
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-56
封装名 TSOP-56 (002-15549)
包装尺寸 182
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S29GL512T12TFN010是一款512 Mb（64 MB）GL-T MIRRORBIT™ NOR闪存，采用3.0 V内核，I/O电压范围1.65 V至VCC，支持×8/×16数据总线、异步32字节页读和512字节编程缓存。随机访问时间最快120 ns，页访问时间最快15 ns，适用于嵌入式系统的代码和数据存储。具备高级扇区保护、内部ECC、10万次擦写和20年数据保持，56球FBGA（TFN）封装，支持最高125°C工业和汽车温度。

特性

  • 45 nm MIRRORBIT™技术
  • 单电源读/写/擦除（2.7–3.6 V）
  • 灵活I/O电压（1.65 V至VCC）
  • ×8/×16数据总线
  • 512字节编程缓冲区
  • 硬件ECC单比特纠错
  • 均匀128KB扇区
  • 高级扇区保护（ASP）
  • 每扇区10万次擦写
  • 典型20年数据保持
  • 上电/低VCC写入禁止
  • 状态寄存器/数据轮询/就绪忙引脚

产品优势

  • 高密度适合嵌入式应用
  • 灵活I/O兼容多主机系统
  • 512字节缓冲区加速编程
  • 内置ECC保障数据可靠
  • 均匀扇区简化管理
  • ASP增强数据安全
  • 10万次擦写寿命长
  • 数据可保存20年
  • 防止上电误写
  • 状态监控方便诊断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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