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无铅

S70FS01GSAGMFI010

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S70FS01GSAGMFI010
S70FS01GSAGMFI010
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商品详情

  • 密度
    1 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    66 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FS-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S70FS01GSAGMFI010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 2400
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 2400
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S70FS01GSAGMFI010是一款1 Gb（128 MB）SPI NOR闪存，采用双芯片堆叠结构和65 nm MirrorBit™技术，提升编程与擦除速度。支持SPI多I/O（x1、x2、x4）及DDR模式，最高133 MHz，工作电压1.7 V至2.0 V，具备灵活扇区、每扇区10万次擦写和20年数据保存。通过AEC-Q100 Grade 1认证，-40°C至+125°C可靠运行，适用于汽车和工业高可靠性及高速代码执行场景。

特性

  • 支持多I/O SPI接口
  • 支持时钟极性和相位模式0、3
  • 支持DDR和SDR命令协议
  • 24/32位寻址选项
  • 兼容S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S
  • 正常、快速、双、四、DDR四I/O读
  • 支持突发和QPI模式
  • 内部ECC单比特纠错
  • 混合/均匀扇区擦除选项
  • 每扇区10万次擦写寿命
  • 数据保存20年
  • 单电源1.7V至2.0 V

产品优势

  • 多I/O提升数据吞吐
  • DDR/SDR灵活速率选择
  • 24/32位寻址适用大容量
  • 兼容性简化产品迁移
  • 多种读模式优化性能
  • QPI模式加速数据传输
  • ECC保障数据可靠
  • 混合/均匀擦除适应多场景
  • 高耐久适合频繁更新
  • 长期保存关键数据
  • 低电压降低功耗
  • 宽温支持恶劣环境

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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