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符合RoHS标准
无铅

S70GL02GT11FHB023

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S70GL02GT11FHB023
S70GL02GT11FHB023
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    110 ns
  • 密度
    2 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    GL-T
  • 认证标准
    Automotive
  • 页面访问时间
    20 ns
推荐的
OPN
S70GL02GT11FHB023
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-13243)
包装尺寸 1600
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-13243)
包装尺寸 1600
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S70GL02GT11FHB023是一款2 Gb（256 MB）并行NOR闪存，采用45纳米MIRRORBIT™技术，具备20 ns页访问和110 ns随机访问速度。工作电压2.7 V至3.6 V，支持×8和×16数据总线，128 KB均匀扇区共2048个。擦写耐久10万次，数据保持20年。具备AEC-Q100认证和高级扇区保护，适用于汽车、工业和嵌入式高密度存储。

特性

  • 45 nm MIRRORBIT™工艺技术
  • 并行3.0 V内核与多样I/O
  • 支持×8和×16数据总线
  • 16字/32字节页读缓冲
  • 512字节编程缓冲区
  • 统一128 KB扇区，2048个扇区
  • 支持编程/擦除挂起与恢复
  • 高级扇区保护(ASP)
  • WP#输入保护最后扇区
  • 20 ns页访问，110 ns随机访问
  • 每扇区10万次擦写
  • 1K循环下20年数据保持

产品优势

  • 高密度适合嵌入式应用
  • 快速编程提升系统速度
  • 灵活I/O兼容性强
  • 大扇区高效管理数据
  • 高级保护确保数据安全
  • 状态监控简化设计
  • 长寿命减少维护
  • 低功耗延长电池寿命
  • 快速访问提升性能
  • 关键代码扇区安全
  • 温度下性能稳定
  • 长期数据可靠

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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