现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S70GL02GT11FHI010

数据手册
封装
软件
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S70GL02GT11FHI010
S70GL02GT11FHI010
每件.
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    110 ns
  • 密度
    2 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    GL-T
  • 认证标准
    Industrial
  • 页面访问时间
    20 ns
推荐的
OPN
S70GL02GT11FHI010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-13243)
包装尺寸 1800
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-13243)
包装尺寸 1800
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S70GL02GT11FHI010是一款2 Gb（256 MB）并行NOR闪存，采用45 nm MIRRORBIT™技术和双芯堆叠结构。页面访问时间20 ns，随机访问时间110 ns，支持512字节编程缓冲区，单电源3.0 V（2.7 V至3.6 V）供电，I/O电压1.65 V至VCC。具备2048个均匀128 KB扇区、高级扇区保护和10万次擦写寿命，适用于高可靠性高密度嵌入式应用。

特性

  • 45 nm MIRRORBIT™工艺技术
  • 并行3.0 V内核与多样I/O
  • 支持×8和×16数据总线
  • 16字/32字节页读缓冲
  • 512字节编程缓冲区
  • 统一128 KB扇区，2048个扇区
  • 支持编程/擦除挂起与恢复
  • 高级扇区保护(ASP)
  • WP#输入保护最后扇区
  • 20 ns页访问，110 ns随机访问
  • 每扇区10万次擦写
  • 1K循环下20年数据保持

产品优势

  • 高密度适合嵌入式应用
  • 快速编程提升系统速度
  • 灵活I/O兼容性强
  • 大扇区高效管理数据
  • 高级保护确保数据安全
  • 状态监控简化设计
  • 长寿命减少维护
  • 低功耗延长电池寿命
  • 快速访问提升性能
  • 关键代码扇区安全
  • 温度下性能稳定
  • 长期数据可靠

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }