S70KL1281DABHV020

数据手册

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S70KL1281DABHV020
S70KL1281DABHV020
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    40 ns
  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.3 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    N/A
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    200 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 100
  • 系列
    KL-1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
S70KL1281DABHV020是一款128 Mb（16 MB）HyperRAM自刷新DRAM，提供HyperBus从设备接口，采用8位DDR数据总线（16位字寻址）。在3.0 V下最高支持100 MHz，线性突发持续带宽达200 MBps。RWDS用于指示刷新延迟，并作为读选通/写掩码，支持线性或回绕突发。器件提供24球FBGA封装。

特性

  • HyperRAM低引脚接口
  • 8位DDR数据总线DQ[7:0]
  • I/O信号11/12根
  • 1.8 V时钟最高166 MHz
  • 3.0 V时钟最高100 MHz
  • 峰值带宽高达333 MBps
  • RWDS选通含写掩码
  • 包裹突发16/32/64/128B
  • 线性与混合突发模式
  • 支持深度掉电DPD
  • 电源范围1.7 V至1.95 V
  • 电源范围2.7 V至3.6 V

产品优势

  • 相比并行DRAM减少MCU引脚
  • DDR每拍吞吐更高
  • 走线更少更易布板
  • 166 MHz支持快速读访问
  • 100 MHz适配3.0 V主控
  • 333 MBps支持丰富HMI资源
  • RWDS简化时序并屏蔽写入
  • 突发可提升总线效率
  • 线性突发适合流式访问
  • DPD降低待机功耗
  • 1.8 V电源宽容简化电源
  • 3.0 V电源适配旧电源轨

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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