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S70KL1282DPBHI023
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符合RoHS标准
无铅

S70KL1282DPBHI023

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S70KL1282DPBHI023
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商品详情

  • 初始访问时间
    36 ns
  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    N/A
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    333 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 166
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KL-2
  • 质量等级
    Industrial

OPN
S70KL1282DPBHI023
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-15550)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
TW
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-15550)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
TW
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S70KL1282DPBHI023是一款128 Mb HYPERRAM™自刷新DRAM（PSRAM），通过HYPERBUS™ 8位DDR接口（CK/CS#、RWDS与RESET#）实现高带宽外部存储扩展。支持最高200 MHz（最高400 MBps）、35 ns最大访问时间，并可配置线性或环绕突发。VCC 2.7 V至3.60 V，-40°C至+85°C，24球FBGA，适用于嵌入式处理器与图形缓冲。

特性

  • HYPERBUS接口
  • VCC 1.7 V至2.0 V选项
  • VCC 2.7 V至3.60 V选项
  • 8位DDR数据总线DQ[7:0]
  • 最高200 MHz时钟
  • 吞吐量高达400 MBps
  • tACC最大35 ns
  • 环绕突发16/32/64/128 B
  • RWDS选通与写数据屏蔽
  • DCARS移位RWDS相位
  • 混合睡眠保留数据
  • 深度掉电停止刷新

产品优势

  • 少引脚实现高带宽
  • 适配1.8 V或3.0 V逻辑
  • DDR减少系统引脚数
  • 200 MHz匹配高速处理器
  • 400 MBps支撑高速缓存
  • tACC 35 ns降低读延迟
  • 突发长度匹配缓存行
  • RWDS简化DDR时序收敛
  • DCARS提升读数据眼图裕量
  • 混合睡眠省电且保留数据
  • 深度掉电时泄漏更低
  • 停钟时降低停滞电流
文档

设计资源

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