现货，推荐
符合RoHS标准

S70KS1282GABHM020

数据手册
封装

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S70KS1282GABHM020
S70KS1282GABHM020
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    35 ns
  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    400 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KS-2
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S70KS1282GABHM020
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-15550)
包装尺寸 3380
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-15550)
包装尺寸 3380
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S70KS1282GABHM020是一款128-Mbit HyperRAM自刷新DRAM，采用HyperBus接口，8位DDR DQ总线、RWDS选通和RESET#。最高200 MHz时钟，吞吐量最高400 MBps（3,200 Mbps），支持线性或包裹突发（16至128字节）配置。供电1.7 V至2.0 V或2.7 V至3.6 V，工作温度-40°C至+125°C（AEC-Q100 Grade 1），24球FBGA封装。

特性

  • HyperBus接口
  • 8位DQ[7:0]数据总线
  • DDR双沿传输
  • 最大200 MHz时钟
  • 吞吐量高达400 MBps
  • 可选差分时钟CK/CK#
  • RWDS选通与写数据屏蔽
  • 可选DCARS相移RWDS
  • 突发可配:线性/回绕
  • 回绕突发:16/32/64/128B
  • Hybrid Sleep模式
  • Deep Power Down模式

产品优势

  • HyperBus减少并口引脚数
  • 8位总线简化PCB布线
  • DDR每时钟提升带宽
  • 200 MHz实现快速访问
  • 400 MBps支持高数据应用
  • 差分时钟提升信号完整性
  • RWDS简化时序与字节写
  • DCARS提升读数据眼裕量
  • 突发配置适配访问模式
  • 回绕突发减少边界命中
  • 睡眠模式降低空闲功耗
  • 深度掉电降低系统功耗

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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