现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S79FL01GSDSBHBC13

数据手册
封装
软件

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S79FL01GSDSBHBC13
S79FL01GSDSBHBC13
数据手册

商品详情

  • 分类
    ISO 26262-ready
  • 密度
    1 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    80 MByte/s
  • 接口
    Dual-Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S79FL01GSDSBHBC13
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15078)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15078)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S79FL01GSDSBHBC13是一款1 Gb（128 MB）Dual-Quad SPI NOR闪存，采用65 nm MIRRORBIT™技术和Eclipse架构，提升编程和擦除速度。支持8位宽Dual-Quad I/O，DDR Quad SPI最大读取速率160 MB/s，编程速率3 MB/s。工作电压2.7 V至3.6 V，具备10万次擦写、20年数据保持及高级安全特性。通过AEC-Q100认证，适用于–40°C至+105°C汽车和嵌入式存储。

特性

  • 1 Gb (128 MB)容量
  • 双四SPI接口
  • 104 MHz四路读，160 MB/s DDR四路读
  • 1024字节页编程缓冲区
  • 内部ECC单比特纠错
  • 10万次擦写寿命
  • 20年数据保存
  • 2048字节一次性可编程区
  • 块与高级扇区保护
  • 2.7 V至3.6 V核心电压
  • 工业温度范围（–40°C至+85°C）
  • 输入信号容限至VCC+2.0 V，–2.0 V

产品优势

  • 大容量支持更多代码数据
  • 双四SPI提升数据速率
  • 160 MB/s读加快系统启动
  • 大缓冲区提升编程速度
  • ECC提升数据可靠性
  • 高耐久减少维护
  • 长期保存确保数据安全
  • OTP支持安全认证
  • 灵活保护增强数据安全
  • 宽电压简化电源设计
  • 工业温度适应恶劣环境
  • 容限提升信号鲁棒性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }