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符合RoHS标准
无铅

S79FL512SDSMFBG03

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S79FL512SDSMFBG03
S79FL512SDSMFBG03
数据手册

商品详情

  • 分类
    NA
  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    160 MByte/s
  • 接口
    Dual-Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S79FL512SDSMFBG03
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 1450
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
包装尺寸 1450
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S79FL512SDSMFBG03是一款512 Mb（64 MB）双四路SPI NOR闪存，采用65 nm MIRRORBIT™技术和Eclipse架构，实现高速编程和擦除。具备8位数据通路、80 MHz DDR和104 MHz SDR四路读取、最大1024字节页编程。工作电压2.7 V至3.6 V，温度-40°C至+105°C，每扇区支持10万次擦写，数据保持20年，适用于代码影子、XIP及高可靠嵌入式和车载数据存储。

特性

  • 支持Dual-Quad SPI接口
  • 104 MHz四路读，80 MHz四路DDR读
  • 24/32位寻址选项
  • 3 MBps编程速度
  • 硬件ECC单比特纠错
  • 混合/统一扇区擦除模式
  • 每扇区10万次擦写寿命
  • 20年数据保持
  • 2048字节OTP安全区
  • 灵活的块/扇区保护
  • 硬件复位输入(RESET#)
  • 内核电压2.7 V至3.6 V

产品优势

  • 高速读提升数据访问效率
  • 灵活寻址适配大容量设计
  • 快速编程提升产能
  • ECC提升数据可靠性
  • 擦除模式适应多场景需求
  • 高耐久保障设备寿命
  • 长期数据安全存储
  • OTP区提升系统安全
  • 扇区保护防止数据丢失
  • 硬件复位确保安全恢复
  • 宽电压简化系统设计
  • Dual-Quad SPI提升接口速度

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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