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符合RoHS标准
无铅

SPW55N80C3

数据手册
封装
每件.
有存货

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SPW55N80C3
SPW55N80C3
每件.
数据手册

商品详情

  • 最高 ID
    54.9 A
  • 最高 ID (@25°C)
    54.9 A
  • 最高 IDpuls
    150 A
  • 最高 Ptot
    500 W
  • QG
    288 nC
  • QG (typ @10V)
    288 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    85 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    85 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.25 K/W
  • Rth
    0.25 K/W
  • 最高 VDS
    800 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 3.9 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO247
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    7.25
推荐的
OPN
SPW55N80C3FKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CoolMOS ™ C3 的替代品是 CoolMOS ™ P7 800V CoolMOS ™ C3 是英飞凌的第三系列 CoolMOS ™ ，于 2001 年进入市场。C3 是该投资组合的“主力”。

特性

  • 低电阻 (RDS(on)*A)
  • O/P 中的 Eoss @400V
  • 低栅极电荷 (Qg)
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来制造的 CoolMOS ™技术

产品优势

  • 更高的开关频率
  • 更高的功率密度
  • 更高的效率
  • MOSFET 适合硬谐振拓扑

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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